[发明专利]中子检测器及用于检测中子的方法无效
申请号: | 201210445395.7 | 申请日: | 2012-11-09 |
公开(公告)号: | CN103105621A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | K.S.麦金尼;N.H.约翰逊;T.R.安德森 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | G01T3/00 | 分类号: | G01T3/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 肖日松;谭祐祥 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及一种10B中子检测器和一种检测中子的相关方法。检测器包括:外壳,其限制并且密封内部体积;中子敏感硼覆层,其位于外壳在内部体积处的至少部分上。硼覆层和外壳中的一个用作阴极,并且中心结构位于内部体积内并且用作阳极。检测器包括在内部体积内的气体,其响应于中子对中子敏感硼覆层的碰撞而在阴极与阳极之间传导电能脉冲。气体包括一定量的3He气体,其对中子碰撞敏感,并且响应于中子对3He气体的碰撞而生成用于通过阳极接收的电能脉冲。该方法包括经由中子对3He气体的碰撞检测至少一个中子。 | ||
搜索关键词: | 中子 检测器 用于 检测 方法 | ||
【主权项】:
一种10B中子检测器,包括:外壳,其限制并且密封内部体积;中子敏感硼覆层,其位于所述外壳在所述内部体积处的至少部分上,其中,所述硼覆层和所述外壳中的一个用作阴极;中心结构,其位于所述内部体积内并且用作阳极;以及在所述内部体积内的气体,其响应于中子对所述中子敏感硼覆层的碰撞而在所述阴极与所述阳极之间传导电能脉冲,所述气体包括一定量的3He气体,其对中子碰撞敏感,并且响应于中子对所述3He气体的碰撞而生成用于通过所述阳极接收的电能脉冲。
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