[发明专利]外腔式可变频激光器无效

专利信息
申请号: 201210445302.0 申请日: 2012-11-07
公开(公告)号: CN103812000A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 耿振民 申请(专利权)人: 无锡华御信息技术有限公司
主分类号: H01S5/14 分类号: H01S5/14;H01S5/06
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 温子云
地址: 214081 江苏省无锡市滨*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种外腔式可变频激光器,包括半导体本体(1),该半导体本体具有表面发射性的包括垂直发射极层(3)的垂直发射极区域(2),至少一个设置用于光学抽运所述垂直发射极层(3)的抽运源(4),和辐射穿透表面(26),在所述垂直发射极层中产生的电磁辐射(31)通过该辐射穿透表面(26)离开,可旋转光学元件(30),其可以用于改变通过其的出射光线的出射方向;光学变频非线性晶体(32),谐振腔反射镜(43),通过旋转所述光学元件改变出射光的方向,使得入射到所述非线性晶体上的所述出射光满足二次谐波或三次谐波产生的条件。
搜索关键词: 外腔式可 变频 激光器
【主权项】:
一种外腔式可变频激光器,包括半导体本体(1),该半导体本体具有‑表面发射性的包括垂直发射极层(3)的垂直发射极区域(2),‑至少一个设置用于光学抽运所述垂直发射极层(3)的抽运源(4),和‑辐射穿透表面(26),在所述垂直发射极层中产生的电磁辐射(31)通过该辐射穿透表面(26)离开,其特征在于还包括:可旋转光学元件(30),其可以用于改变通过其的出射光线的出射方向;光学变频非线性晶体(32),谐振腔反射镜(43),通过旋转所述光学元件改变出射光的方向,使得入射到所述非线性晶体上的所述出射光满足二次谐波或三次谐波产生的条件。
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