[发明专利]一种超结功率器件终端结构

摘要

一种超结功率器件的终端结构，属于半导体功率器件技术领域。包括器件元胞和器件终端；器件元胞漂移区由交替相间的P柱区和N柱区构成超结结构；器件终端包括过渡终端区和耐压终端区；所述过渡终端区处于器件元胞和耐压终端区之间；过渡终端区具有与元胞相同的超结结构，耐压终端区的超结结构中P柱区和N柱区的掺杂浓度小于器件元胞的超结结构中P柱区和N柱区的掺杂浓度。本发明实际是元胞和终端采用不同的漂移区掺杂浓度。元胞区采用高掺杂漂移区获得低比导通电阻，终端区适当采用较低的掺杂浓度获得高耐压。采用该结构能够在和常规超结终端结构面积相同的情况下获得更高的耐压，或者在相同耐压的情况下具有比常规超结结构更小的面积。

主权项

一种超结功率器件的终端结构，包括器件元胞（Ⅰ）和器件终端；所述器件元胞（Ⅰ）的漂移区由交替相间的P柱区半导体和N柱区半导体构成超结结构；其特征在于，所述器件终端包括两个部分：过渡终端区（Ⅱ）和耐压终端区（Ⅲ）；所述过渡终端区（Ⅱ）处于器件元胞（Ⅰ）和耐压终端区（Ⅲ）之间，过渡终端区（Ⅱ）的宽度尺寸小于耐压终端区（Ⅲ）的宽度尺寸；过渡终端区（Ⅱ）由交替相间的P柱区半导体和N柱区半导体构成超结结构，且过渡终端区（Ⅱ）的超结结构中P柱区半导体和N柱区半导体的掺杂浓度与器件元胞（Ⅰ）的超结结构中P柱区半导体和N柱区半导体的掺杂浓度相同；耐压终端区（Ⅲ）同样由交替相间的P柱区半导体和N柱区半导体构成超结结构，但耐压终端区（Ⅲ）的超结结构中P柱区半导体和N柱区半导体的掺杂浓度小于器件元胞（Ⅰ）的超结结构中P柱区半导体和N柱区半导体的掺杂浓度。