[发明专利]一种环形炉用SiSiC 质高温陶瓷炉底板及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210440060.6 申请日: 2012-11-07
公开(公告)号: CN102898165A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 祝洪喜;汪盛明;张小东;骆中汉;邓承继;彭玮珂;程明 申请(专利权)人: 宜昌科博耐火材料有限公司
主分类号: C04B35/66 分类号: C04B35/66
代理公司: 北京君智知识产权代理事务所 11305 代理人: 吕世静
地址: 443133 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种环形炉用SiSiC质高温陶瓷炉底板的制备方法,取30~50份SiC大颗粒、15~35份SiC小颗粒、30~45份SiC细粉和1~10份炭粉,然后再加入4~9份结合剂混碾成型,然后在烘干炉中经110℃、保温32~72h烘干,再在烧结炉中在1700~1850℃和真空度小于100Pa的条件下保温6~36小时,机械加工后制得环形炉用SiSiC质高温陶瓷炉底板。本发明工艺简单、成本低,其制品具有耐高温、抗蠕变性能好、高温强度大、抗热震性好的特点。
搜索关键词: 一种 环形 sisic 高温 陶瓷 底板 及其 制备 方法
【主权项】:
一种环形炉用SiSiC质高温陶瓷炉底板的制备方法,其特征在于采用以下步骤:(1)配料:以重量份计称取30~50份SiC大颗粒、15~35份SiC小颗粒、30~45份SiC细粉和1~10份炭粉,然后再加入4~9份结合剂,所述结合剂选自酚醛树脂、硅溶胶或水玻璃;加入混碾机中混合碾制成便于成型的泥料;(2)成型:将步骤(1)的泥料装入模型中进行成型制成炉底板湿坯;(3)干燥:将所述湿坯装入烘干炉中经110℃、保温32~72h烘干后制成炉底板生坯;(4)渗硅反应烧结:将所述生坯置于反应烧结炉中在1700~1850℃和真空度小于100Pa的条件下保温6~36小时进行高温渗硅反应烧结制得炉底板毛坯;(5)将毛坯进行机械加工制得环形炉用SiSiC质高温陶瓷炉底板。
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