[发明专利]一种铜/空气隙的制备方法有效
| 申请号： | 201210437593.9 | 申请日： | 2012-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN103066014B | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 林宏 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铜/空气隙的制备方法，包括在衬底上依次形成通孔层，刻蚀停止层和金属线互连层，其中金属线互连层由牺牲介质沉积而成；形成贯穿金属线互连层和刻蚀停止层的金属互连线沟槽；在金属互连线沟槽填充金属，形成金属互连线；刻蚀金属线互连层的牺牲介质，并停止于刻蚀停止层；于金属线互连层上沉积介质层，以在金属线互连层内形成空气隙。本发明能够有效控制金属线互连层的介质刻蚀深度，获得均匀性优异的空气隙。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 空气 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜/空气隙的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上依次形成通孔层，刻蚀停止层和金属线互连层，其中金属线互连层由牺牲介质沉积而成；形成贯穿所述金属线互连层和所述刻蚀停止层的金属互连线沟槽；在所述金属互连线沟槽填充金属，形成金属互连线；刻蚀所述金属线互连层的所述牺牲介质，并停止于所述刻蚀停止层；刻蚀所述刻蚀停止层，保留所述金属互连线底部边缘处的所述刻蚀停止层；于所述金属线互连层上沉积介质层，以在所述金属线互连层内形成空气隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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