[发明专利]漂移区具有横向浓度梯度的LDMOS管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210437584.X | 申请日： | 2012-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN103811544B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 杨文清;赵施华;邢军军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种漂移区具有横向浓度梯度的LDMOS管，该LDMOS管的场极板分为耗尽区和连接区两部分，耗尽区与栅相连，且掺杂类型与栅相反；连接区靠近漏，并与漏极相连，且掺杂类型与栅相同。本发明还公开了上述LDMOS管的制造方法。本发明通过将场极板分为掺杂类型不同的耗尽区和连接区两部分，并和栅一起构成NPN（或PNP）结构，使栅、漏之间的电压差能连续分布在场极板的耗尽区内，从而减少了场极板与漂移区尤其是漏之间的电压差，消除了由场极板引起的热载流子效应。 | ||
| 搜索关键词： | 漂移 具有 横向 浓度梯度 ldmos 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
漂移区具有横向浓度梯度的LDMOS管的制造方法，所述LDMOS管的结构包括场极板和栅，场极板和栅由连续的多晶硅构成，栅与栅极相连，场极板分为耗尽区和连接区两部分，耗尽区与栅相连，且掺杂类型与栅相反，连接区靠近漏，并与漏极相连，且掺杂类型与栅相同；其特征在于，在完成场氧和栅氧的生长后，还包括以下步骤：1)淀积非掺杂的栅多晶硅；2)进行离子注入掺杂；3)在栅区和场极板的连接区涂布光刻胶，然后显影；4)在栅区和场极板的连接区进行离子注入掺杂，掺杂类型与步骤2)的掺杂类型相反；5)去除光刻胶。
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