[发明专利]同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法有效
| 申请号： | 201210433784.8 | 申请日： | 2012-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN103792793A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 李玉华 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法，所述不同光刻机的曝光视场呈整数倍关系，且所述光刻机按曝光视场从大到小的顺序，依次对硅片进行曝光。本发明通过减少低端光刻机的曝光视场，使得不同光刻机的曝光视场呈整数倍关系，可以大幅提高高端光刻机台的产能，从而实现更高的产品附加值。 | ||
| 搜索关键词： | 同一 光刻 工艺 不同 匹配 方法 | ||
【主权项】：
一种同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法，其特征在于：所述不同光刻机的曝光视场呈整数倍关系，且所述光刻机按曝光视场从大到小的顺序，依次对硅片进行曝光。
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