[发明专利]多模式交变耦合磁场辅助电弧离子镀沉积弧源设备有效

专利信息
申请号: 201210431983.5 申请日: 2012-11-02
公开(公告)号: CN102953035A 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: 郎文昌;王向红;李明霞 申请(专利权)人: 温州职业技术学院
主分类号: C23C14/32 分类号: C23C14/32
代理公司: 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人: 张志伟
地址: 325035 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及表面防护领域,具体地说是一种改善电弧离子镀沉积工艺的多模式交变耦合磁场辅助电弧离子镀沉积弧源设备。该设备的轴对称磁场发生装置放置于靶材后面,由放置于靶材后面的高导磁率磁轭及与磁轭同轴放置的电磁线圈组成,或者由单个或两个以上永久磁体配合磁轭组成;聚焦导引磁场发生装置由电磁线圈组成,放置于靶材前面,与靶材同轴放置,装置的中心与靶面平齐或略高于靶面;本发明通过两组磁场发生装置配合使用,在靶面上形成动态分布的耦合磁场,达到改善弧斑的放电形式和工作稳定性,控制弧斑的运动轨迹,提高靶材刻蚀均匀性和靶材利用率,减少靶材大颗粒的发射,提高等离子体传输效率,用以制备高质量的薄膜的目的。
搜索关键词: 模式 耦合 磁场 辅助 电弧 离子镀 沉积 设备
【主权项】:
多模式交变耦合磁场辅助电弧离子镀沉积弧源设备,其特征在于,所述多模式交变耦合磁场辅助电弧离子镀沉积弧源设备设有动态耦合磁场发生装置、靶材、靶材底座,靶材安装于靶材底座上;动态耦合磁场发生装置由轴对称磁场发生装置和聚焦导引磁场发生装置构成,轴对称磁场发生装置放置于靶材后面,由放置于靶材后面的高导磁率磁轭及与磁轭同轴放置的电磁线圈组成,或者由单个或两个以上永久磁体配合磁轭组成;聚焦导引磁场发生装置由电磁线圈组成,放置于靶材前面,与靶材同轴放置,装置的中心与靶面平齐或略高于靶面;动态耦合磁场由动态轴对称发散磁场叠加静态聚焦导引磁场形成或者由静态轴对称发散磁场叠加动态聚焦导引磁场形成或者由磁场强度一定的静态轴对称拱形磁场耦合动态的聚焦轴向引导磁场形成或者由强度周期性变化的轴对称拱形磁场耦合磁场强度一定的聚焦轴向引导磁场形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于温州职业技术学院,未经温州职业技术学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210431983.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top