[发明专利]一种晶硅太阳能电池梯度折射率减反膜及其制备方法有效
申请号: | 201210426609.6 | 申请日: | 2012-10-31 |
公开(公告)号: | CN102916057A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 赵保星;易臻希;谢于柳 | 申请(专利权)人: | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18;C23C14/24;C23C14/35 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 马强 |
地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶硅太阳能电池梯度折射率减反膜,该梯度折射率减反膜设置于晶硅太阳能电池硅基衬底上;所述梯度折射率减反膜上设有玻璃EVA封装膜;所述梯度折射率减反膜由下自上包括第一层薄膜,第二层薄膜和第三层薄膜。本发明梯度折射率减反膜折射率在膜厚方向上按照三次方关系梯度变化;折射率变化趋势由三层具有特定折射率的膜层体现;三层具有特定折射率的膜层均由同一材料组成;三层膜层的折射率和厚度采取控制物理气相沉积的靶面与硅片表面夹角,以及沉积时间来实现。该梯度折射率减反膜具有宽光谱、光角谱减反射效果,且制备方法简单易于工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 梯度 折射率 减反膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种晶硅太阳能电池梯度折射率减反膜,其特征在于,所述梯度折射率减反膜(2)设置于晶硅太阳能电池硅基衬底(1)上;所述梯度折射率减反膜(2)上设有玻璃EVA封装膜(3);所述梯度折射率减反膜(2)由下自上包括第一层薄膜(21),第二层薄膜(22)和第三层薄膜(23);所述三层薄膜中任一层薄膜的折射率函数为:n=nsi‑(nsi‑nglass)(Ax+Bx2+Cx3),其中n为该层薄膜的折射率,x为该层薄膜上表面与硅基衬底(1)上表面的距离,A、B和C为相同或不同的常数,nsi为硅基衬底(1)的折射率,nglass为玻璃EVA封装膜(3)的折射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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