[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201210426451.2 | 申请日： | 2012-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103579339A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | D.彼得斯;R.西米尼克;P.弗瑞依德瑞茨思 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;卢江 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种制造方法提供具有半导体主体的半导体器件，所述半导体主体限定源极区段、主体区段、漂移区段和二极管区段。漂移区段具有第一漂移区段部分和第二漂移区段部分。二极管区段被掩埋在漂移区段内，并且具有与漂移区段相反的半导体类型从而形成二极管。二极管区段通过在垂直方向上从二极管区段延伸的第一漂移区段部分而与栅极电极分开。栅极电极与主体区段邻近并且通过栅极电介质与主体区段绝缘。源极电极电连接到源极区段、主体区段和二极管区段。在第一漂移区段部分与源极电极之间设置与漂移区段的掺杂类型相反的掺杂类型的半导体区段。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括半导体主体；在半导体主体中的源极区段、主体区段以及具有第一漂移区段部分和第二漂移区段部分的漂移区段，其中源极区段与漂移区段在半导体主体的垂直方向上远离，其中主体区段被设置在源极区段与漂移区段之间，并且第二漂移区段部分在半导体主体的垂直方向上邻接第一漂移区段部分；与主体区段邻近并且通过栅极电介质与主体区段电介质绝缘的栅极电极；与漂移区段的半导体类型互补的半导体类型的二极管区段，所述二极管区段被设置在漂移区段中并且在半导体主体的垂直方向上远离栅极电极；以及电连接到源极区段、主体区段和二极管区段的源极电极，其中源极电极的至少第一部分被设置在邻近源极区段、主体区段和漂移区段的第一部分延伸到二极管区段的沟槽中。
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