[发明专利]高电子迁移率晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201210421462.1 | 申请日： | 2012-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103367418A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 姚福伟;游承儒;黄敬源;许竣为;余俊磊;杨富智;蔡俊琳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高电子载流子迁移率晶体管(HEMT)包括第一III-V化合物层。第二III-V化合物层设置在第一III-V化合物层上并且在成分上与第一III-V化合物层不同。载流子沟道设置在第一III-V化合物层和第二III-V化合物层之间。硅化物源极部件和硅化物漏极部件通过第二III-V化合物层与第一III-V化合物层接触。栅电极设置在第二III-V化合物层位于硅化物源极部件和硅化物漏极部件之间的部分的上方。本发明还公开了形成高电子迁移率晶体管的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管(HEMT)，包括：第一III‑V化合物层；第二III‑V化合物层，位于所述第一III‑V化合物层上并且在成分上不同于所述第一III‑V化合物层，其中，载流子沟道沿所述第一III‑V化合物层和所述第二第一III‑V化合物层之间的界面设置在第一III‑V化合物层中；硅化物源极部件和硅化物漏极部件，通过所述第二III‑V化合物层与所述第一III‑V化合物层接触；以及栅电极，位于所述第二III‑V化合物层在所述硅化物源极部件和所述硅化物漏极部件之间的部分的上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210421462.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
