[发明专利]发光器件及发光器件封装有效
申请号: | 201210421187.3 | 申请日: | 2012-10-29 |
公开(公告)号: | CN103094435B | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 朱炫承;洪奇锡;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/10 | 分类号: | H01L33/10 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 张浴月,张志杰 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了一种发光器件及发光器件封装,该发光器件包括发光结构,所述发光结构包括多个发光区域,所述多个发光区域包括第一半导体层、有源层和第二半导体层;第一分布式布拉格反射层,布置在所述多个发光区域上;第一电极单元,布置在所述多个发光区域中一个发光区域内的第一半导体层上;第二电极单元,布置在所述多个发光区域中另一个发光区域内的所述第二半导体层上;层间焊垫,布置在所述多个发光区域中至少又一个发光区域内的所述第一半导体层或所述第二半导体层上;以及至少一个连接电极,布置在所述第一分布式布拉格反射层上,以使所述连接电极依序将所述多个发光区域串联连接。本发明使发光效率得到提高而且能够防止电极脱落或损坏。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 封装 | ||
【主权项】:
一种发光器件,包括:发光结构,包括多个发光区域,所述多个发光区域包括第一半导体层、有源层和第二半导体层;第一分布式布拉格反射层,布置在所述多个发光区域上;第一电极单元,布置在所述多个发光区域中一个发光区域内的所述第一半导体层上;第二电极单元,布置在所述多个发光区域中另一个发光区域内的所述第二半导体层上;层间焊垫,布置在所述多个发光区域中至少又一个发光区域内的所述第一半导体层上或所述第二半导体层上;至少一个连接电极,布置在所述第一分布式布拉格反射层上,以使所述连接电极依序将所述多个发光区域串联连接;以及第二分布式布拉格反射层,布置在所述第一分布式布拉格反射层上,所述第二分布式布拉格反射层覆盖所述连接电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司,未经LG伊诺特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210421187.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种大截面光纤复合架空相线
- 下一篇:电位器