[发明专利]不通电的伪栅极有效
| 申请号： | 201210418806.3 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103367407B | 公开（公告）日： | 2017-06-16 |
| 发明（设计）人： | 刘家助;陈桂顺;江木吉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括在衬底上方形成的不通电的伪栅极。伪栅极具有伸长的形状并且沿着第一方向定向。半导体器件包括在衬底上方形成的第一功能栅极。第一功能栅极具有伸长的形状并且沿着第一方向定向。第一功能栅极在与第一方向垂直的第二方向上与伪栅极分离。第一导电接触件形成在第一功能栅极上。半导体器件包括在衬底上方形成的第二功能栅极。第二功能栅极具有伸长的形状并且沿着第一方向定向。第二功能栅极在第一方向上与伪栅极对准并且与伪栅极物理分离。第二导电接触件形成在第二功能栅极上。本发明提供了不通电的伪栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 通电 栅极 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：伸长的第一栅极，在第一方向上延伸，所述第一栅极是不通电的伪栅极；伸长的第二栅极，在所述第一方向上延伸，所述第二栅极在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一栅极间隔开；以及伸长的第三栅极，在所述第一方向上延伸并且在所述第一方向上与所述第一栅极对准且与所述第一栅极间隔开，其中，所述第二栅极和所述第三栅极各自形成在衬底的相应有源区域上方；并且所述第一栅极形成在所述衬底的非有源区域上方，其中，所述第二栅极和所述第三栅极中的每个均形成有允许所述第二栅极和所述第三栅极电连接到其他器件的电接触件，并且所述第二栅极和所述第三栅极之间没有电接触。
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