[发明专利]一种倒锥形轮廓刻蚀方法有效
| 申请号： | 201210415193.8 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103779271B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 刘志强;李俊良 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 张龙哺,冯志云 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种倒锥形轮廓刻蚀方法，包括以下步骤(a)在衬底上依次形成底层金属连线和绝缘介质层；(b)在所述绝缘介质层上形成光刻胶的刻蚀图案；(c)对所述绝缘介质层进行第一次干法刻蚀，去除底层金属连线上方的部分绝缘介质层，在所述绝缘介质层上形成开口；(d)去除光刻胶，露出所述绝缘介质层的上表面；(e)对绝缘介质层进行第二次干法刻蚀，去除底层金属连线上方的剩余绝缘介质层，形成绝缘介质层经刻蚀后的斜面与水平面之间的夹角为50°至70°，本发明通过两次刻蚀的工艺步骤，即第一次刻蚀、去光刻胶、第二次刻蚀的步骤，巧妙地获得更小的刻蚀角度，形成倒锥形轮廓，得到更大的金属填充开口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锥形 轮廓 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种倒锥形轮廓刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)在衬底上依次形成底层金属连线和绝缘介质层；(b)在所述绝缘介质层上形成图案化的光刻胶；(c)对所述绝缘介质层进行第一次干法刻蚀，去除底层金属连线上方的部分绝缘介质层，在所述绝缘介质层上形成开口；(d)去除光刻胶，露出所述绝缘介质层的上表面；(e)对绝缘介质层进行第二次干法刻蚀，去除底层金属连线上方的剩余绝缘介质层，同时对所述绝缘介质层中开口的侧壁和露出的上表面进行轰击刻蚀，所述绝缘介质中开口的截面逐渐形成倒锥形轮廓，形成绝缘介质层经刻蚀后的斜面与水平面之间的夹角为50°至70°。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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