[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210415044.1 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103779191A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 张翼英;何其旸 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括如下步骤：步骤S101：在形成有目标膜层的半导体衬底上形成核心材料层和位于其上的硬掩膜；步骤S102：在所述半导体衬底上形成间隔材料薄膜；步骤S 103：对所述间隔材料薄膜进行刻蚀以形成位于所述核心材料层侧壁的间隔层；步骤S104：在所述半导体衬底上形成覆盖所述目标膜层的牺牲层；步骤S105：对所述半导体衬底进行刻蚀，在去除部分所述牺牲层的同时去除所述硬掩膜；步骤S106：去除所述核心材料层和所述牺牲层。该方法由于在形成间隔层的步骤与去除硬掩膜的步骤间增加了形成牺牲层的步骤，因而避免了目标膜层被不当刻蚀，易于控制间隔层的高度和厚度，保证了制造的半导体器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤S101：在形成有目标膜层的半导体衬底上形成核心材料层和位于其上的硬掩膜；步骤S102：在所述半导体衬底上形成间隔材料薄膜；步骤S103：对所述间隔材料薄膜进行刻蚀以形成位于所述核心材料层侧壁的间隔层；步骤S104：在所述半导体衬底上形成覆盖所述目标膜层的牺牲层；步骤S105：对所述半导体衬底进行刻蚀，在去除部分所述牺牲层的同时去除所述硬掩膜；步骤S106：去除所述核心材料层和所述牺牲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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