[发明专利]读出电路有效
| 申请号： | 201210414688.9 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102930891B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种读出电路，用于将存储单元的信息放大输出，包括可控电流镜电路、参考存储单元、译码控制电路、传输电路及输出电路，该可控电流镜电路与该参考存储单元、该传输电路及该输出电路连接，同时该可控电流镜电路还连接一读写控制信号，以在该读写控制信号控制下，使得在不进行读操作时，该参考存储单元上无电流，本发明通过一可控电流镜电路使得在不进行读存储单元时参考存储单元上无电流，减少了电流的损耗，节省了电能，同时，本发明的参考电压产生电路在不进行读存储单元操作时不消耗电流，进一步节省了电能。 | ||
| 搜索关键词： | 读出 电路 | ||
【主权项】：
一种读出电路，用于将存储单元的信息放大输出，包括参考存储单元、译码控制电路、传输电路及输出电路，其特征在于：该读出电路还包括可控电流镜电路，该输出电路还包括参考电压产生电路，该可控电流镜电路与该参考存储单元、该传输电路及该输出电路连接，同时该可控电流镜电路还连接一读写控制信号，以在该读写控制信号控制下，使得在不进行读操作时，该参考存储单元上无电流，该参考电压产生电路在该读写控制信号控制下，在需要对该存储单元进行读操作时，产生参考电压，在不需对该存储单元进行读操作时，输出为0；该可控电流镜电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管以及第六NMOS管，该第一PMOS管与该第二PMOS管源极接电源电压，栅极互连，该第一PMOS管漏极接该第三PMOS管源极，该第三PMOS管栅极接该读写控制信号，漏极与该第一PMOS管栅极互连后接该参考存储单元，该第六NMOS管漏极接该第一PMOS管之栅极，栅极接该读写控制信号，源极接地，该第二PMOS管漏极通过该传输电路、该译码控制电路接该存储单元，同时该第二PMOS管漏极还接至该输出电路，以将该存储单元的信息输出至该输出电路。
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