[发明专利]用于沟槽器件的集成的栅流道和场植入终端有效
| 申请号： | 201210414442.1 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103077971A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 郝际发;加里·多尔尼;马克·里乌 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李静;马强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于沟槽器件的集成的栅流道和场植入终端。在一个通常的方面，装置可以包括形成在基板的外延层内的多个沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件以及布置在多个沟槽MOSFET器件周围并且布置在外延层内的栅流道沟槽。该装置还可以包括通过阱植入部的限定并且布置在栅流道沟槽周围的漂浮场植入部。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沟槽 器件 集成 栅流道 植入 终端 | ||
【主权项】：
一种装置，所述装置包括：多个沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件，所述多个沟槽MOSFET器件形成在基板的外延层内；栅流道沟槽，所述栅流道沟槽布置在所述多个沟槽MOSFET器件周围并布置在所述外延层内；以及漂浮场植入部，所述漂浮场植入部通过阱植入部限定并且布置在所述栅流道沟槽周围。
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