[发明专利]氧化物薄膜的图案化制程有效
| 申请号： | 201210413839.9 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103578922A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 林晋庆;陈俞君;王恩光;江美静;陈怡真 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氧化物薄膜的图案化制程，包括：将阻挡层组合物覆盖在基材上以形成图案化的阻挡层，其中阻挡层组合物包含无机成分以及有机粘着剂；无机成分与该有机粘着剂的重量比为50-98:2-50；将氧化物薄膜形成于图案化的阻挡层及基材上，其中阻挡层的厚度（D1）与氧化物薄膜的厚度（D2）比（D1/D2）范围介于5～2000；以及，剥除（lifting-off）阻挡层及阻挡层上的氧化物薄膜，留下基材上的氧化物薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜 图案 化制程 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜的图案化制程，包括：将阻挡层组合物覆盖在基材上以形成图案化的阻挡层，其中该阻挡层组合物包含无机成分以及有机粘着剂，该无机成分与该有机粘着剂的重量比为50‑98:2‑50；将氧化物薄膜形成于该图案化的阻挡层及该基材上，其中该阻挡层的厚度（D1）与该氧化物薄膜的厚度（D2）比（D1/D2）范围为5～2000；以及剥除该阻挡层及该阻挡层上的氧化物薄膜，留下该基材上的氧化物薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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