[发明专利]用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201210408491.4 申请日: 2012-10-24
公开(公告)号: CN102903775A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 邢宇鹏;韩培德;范玉杰;王帅;梁鹏 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤保平
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构,包括:一钝化膜;一第一掺杂层,制作在钝化膜上的中间部位;一硅衬底,制作在第一掺杂层上的中间部位;一第二掺杂层,制作在硅衬底上,其长度大于衬底的长度,与第一掺杂层的长度相同;一钝化减反膜,制作在第二掺杂层上,其长度大于第二掺杂层的长度,与钝化膜长度相同;一第三掺杂层,制作在硅衬底的一侧,并覆盖第一掺杂层和第二掺杂层一侧的端部;一第四掺杂层,制作在硅衬底的另一侧,并覆盖第一掺杂层和第二掺杂层的另一侧的端部;一第一电极,制作在第三掺杂层上,该第一电极的表面与钝化膜和钝化减反膜的端面齐平;一第二电极,制作在第四掺杂层上,形成电池单元;该电池结构通过多个电池单元两侧的第一电极和第二电极串接而成。
搜索关键词: 用于 聚光 激光 晶体 太阳能电池 结构 及其 制作方法
【主权项】:
一种用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构,包括:一钝化膜;一第一掺杂层,该第一掺杂层制作在钝化膜上的中间部位;一硅衬底,该硅衬底制作在第一掺杂层上的中间部位;一第二掺杂层,该第二掺杂层制作在硅衬底上,其长度大于衬底的长度,与第一掺杂层的长度相同;一钝化减反膜,该钝化减反膜制作在第二掺杂层上,其长度大于第二掺杂层的长度,与钝化膜长度相同;一第三掺杂层,该第三掺杂层制作在硅衬底的一侧,并覆盖第一掺杂层和第二掺杂层一侧的端部;一第四掺杂层,该第四掺杂层制作在硅衬底的另一侧,并覆盖第一掺杂层和第二掺杂层的另一侧的端部;一第一电极,该第一电极制作在第三掺杂层上,该第一电极的表面与钝化膜和钝化减反膜的端面齐平;一第二电极,该第二电极制作在第四掺杂层上,该第二电极的表面与钝化膜和钝化减反膜的另一端面齐平,形成电池单元;该电池结构通过多个电池单元两侧的第一电极和第二电极串接而成。
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