[发明专利]用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构及其制作方法有效
申请号: | 201210408491.4 | 申请日: | 2012-10-24 |
公开(公告)号: | CN102903775A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 邢宇鹏;韩培德;范玉杰;王帅;梁鹏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构,包括:一钝化膜;一第一掺杂层,制作在钝化膜上的中间部位;一硅衬底,制作在第一掺杂层上的中间部位;一第二掺杂层,制作在硅衬底上,其长度大于衬底的长度,与第一掺杂层的长度相同;一钝化减反膜,制作在第二掺杂层上,其长度大于第二掺杂层的长度,与钝化膜长度相同;一第三掺杂层,制作在硅衬底的一侧,并覆盖第一掺杂层和第二掺杂层一侧的端部;一第四掺杂层,制作在硅衬底的另一侧,并覆盖第一掺杂层和第二掺杂层的另一侧的端部;一第一电极,制作在第三掺杂层上,该第一电极的表面与钝化膜和钝化减反膜的端面齐平;一第二电极,制作在第四掺杂层上,形成电池单元;该电池结构通过多个电池单元两侧的第一电极和第二电极串接而成。 | ||
搜索关键词: | 用于 聚光 激光 晶体 太阳能电池 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构,包括:一钝化膜;一第一掺杂层,该第一掺杂层制作在钝化膜上的中间部位;一硅衬底,该硅衬底制作在第一掺杂层上的中间部位;一第二掺杂层,该第二掺杂层制作在硅衬底上,其长度大于衬底的长度,与第一掺杂层的长度相同;一钝化减反膜,该钝化减反膜制作在第二掺杂层上,其长度大于第二掺杂层的长度,与钝化膜长度相同;一第三掺杂层,该第三掺杂层制作在硅衬底的一侧,并覆盖第一掺杂层和第二掺杂层一侧的端部;一第四掺杂层,该第四掺杂层制作在硅衬底的另一侧,并覆盖第一掺杂层和第二掺杂层的另一侧的端部;一第一电极,该第一电极制作在第三掺杂层上,该第一电极的表面与钝化膜和钝化减反膜的端面齐平;一第二电极,该第二电极制作在第四掺杂层上,该第二电极的表面与钝化膜和钝化减反膜的另一端面齐平,形成电池单元;该电池结构通过多个电池单元两侧的第一电极和第二电极串接而成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的