[发明专利]半导体集成电路和使用它的光传感器设备

摘要

本发明的半导体集成电路，在元件阵列(14)中设置电阻阵列，将特性值分布的平均值与由元件阵列(14)获得的合成电阻值的中心值关联，用十进制数以‘15’～‘8’的降序设定调整信息生成电路(12)中与大于上述中心值的合成电阻值对应的调整信息的排列，用十进制数‘0’～‘7’以升序设定与上述中心值以下的合成电阻值对应的调整信息的排列。变换电路(13)变换来自调整信息生成电路(12)的调整信息，生成为了从元件阵列(14)的电阻阵列中获得各合成电阻值而选择截止的电阻的元件选择信息。由此，大幅度地削减在生成上述分布中的‘平均值±2σ’的范围内关联的调整信息的情况下的熔丝熔断根数。

主权项

半导体集成电路，其特征在于，包括：动作电路，具有电路常数，并且进行与所述电路常数对应的动作；元件阵列，内置被排列的多个元件，并且根据元件选择信息而将一部分元件选择性地截止，从而基于所述多个元件的输出，修正所述动作电路的电路常数；调整信息生成电路，内置多个熔丝，并且生成并输出以与各熔丝对应的比特的序列表示了所述多个熔丝的各个熔丝是否被熔断的调整信息；以及变换电路，将从所述调整信息生成电路输出的所述调整信息的比特序列，变换为以与各元件对应的比特的序列表示了是否将所述元件阵列中的所述多个元件的各个元件截止的所述元件选择信息，分配表示所述调整信息生成电路所内置的所述熔丝的熔断根数是可取的熔断根数中最少根数的调整信息，作为所述动作电路的特性值呈现该特性值的出现频度分布中的平均值的情况下的所述调整信息，分配表示所述调整信息生成电路所内置的所述熔丝的熔断根数为次于所述最少根数的根数的调整信息，作为所述特性值进入所述出现频度分布中的平均值±2×(标准偏差)的范围的情况下的所述调整信息。