[发明专利]一种铌酸钾/聚偏氟乙烯高介电复合材料的制备方法有效
申请号: | 201210404713.5 | 申请日: | 2012-10-22 |
公开(公告)号: | CN102875939A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 侯育冬;葛海燕;朱满康;刘晶冰;王如志;张铭;宋雪梅;汪浩;严辉 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | C08L27/16 | 分类号: | C08L27/16;C08K3/24;B29B7/74;B29B11/00;B29C51/18;B29C51/46 |
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摘要: | 一种铌酸钾/聚偏氟乙烯高介电复合材料的制备方法,属于介电复合材料技术领域。将聚偏氟乙烯加入DMF中,超声20~40min,得到聚偏氟乙烯的浓度为10~50wt%的透明溶液A;将铌酸钾加入到透明溶液A中,超声5~20min,把得到的悬浊液倒入玻璃皿中,置于80~120°C下烘干成膜,即可得到铌酸钾/聚偏氟乙烯复合薄膜B,铌酸钾与聚偏氟乙烯质量比为1∶9~5∶5;将铌酸钾/聚偏氟乙烯复合薄膜B折叠后放入热压模具中,然后将磨具放在粉末压片机上热压成型。本发明的复合材料介电常数较高、介电损耗较低、制备工艺简单、绿色环保的高介电常数聚合物基复合材料的制备方法。 | ||
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【主权项】:
一种铌酸钾/聚偏氟乙烯高介电复合材料的制备方法,包括以下步骤:1)按照铌酸钾与聚偏氟乙烯质量比为1∶9~5∶5,称取原料铌酸钾和聚偏氟乙烯粉体,其中铌酸钾颗粒尺寸为200~600nm。将聚偏氟乙烯加入N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)中,超声20~40min,使聚偏氟乙烯完全溶入N,N‑二甲基甲酰胺中,得到聚偏氟乙烯的浓度为10~50wt%的透明溶液A;2)将已称量的铌酸钾加入到透明溶液A中,超声5~20min,把得到的悬浊液倒入玻璃皿中,置于80~120°C下烘干成膜,即可得到铌酸钾/聚偏氟乙烯复合薄膜B;3)将铌酸钾/聚偏氟乙烯复合薄膜B折叠后放入热压模具中,然后将磨具放在粉末压片机上,在温度为180~220°C、压力为10~25MPa、时间为5~20min热压成型,得到铌酸钾/聚偏氟乙烯复合材料铌酸钾/聚偏氟乙烯复合材料。
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