[发明专利]一种晶体硅太阳能电池双层减反射膜的制备方法无效
| 申请号： | 201210401660.1 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102916080A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 江苏荣马新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 张惠忠 |
| 地址： | 223700 江苏省宿*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种晶体硅太阳能电池双层减反射膜的制备方法，该制备方法依次经过下述常规工序：清洗、制绒、制结和刻蚀，其特征在于它还包括以下步骤：(1)将处理后的硅片浸没硝酸和盐酸的混合液中，在硅片表面生成二氧化硅；(2)清洗、烘干步骤(1)得到的带有二氧化硅膜的电池片；(3)利用等离子体增强化学气相沉积方法在步骤(2)的二氧化硅膜上沉积一层氮化硅薄膜。本发明的二氧化硅膜是通过浸泡在硝酸和盐酸的混合液中来生成的，缩短了制备二氧化硅膜的周期，利用等离子体增强化学气相沉积方法在二氧化硅膜上沉积氮化硅膜，制得的双层减反射膜结构均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 双层 减反射膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳能电池双层减反射膜的制备方法，该制备方法依次经过下述常规工序：清洗、制绒、制结和刻蚀，其特征在于它还包括以下步骤：(1)将处理后的硅片浸没硝酸和盐酸的混合液中，在硅片表面生成二氧化硅；(2)清洗、烘干步骤(1)得到的带有二氧化硅膜的电池片；(3)利用等离子体增强化学气相沉积方法在步骤(2)的二氧化硅膜上沉积一层氮化硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
