[发明专利]一种半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 201210399305.5 | 申请日： | 2012-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103779216A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 金兰;涂火金;何有丰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，至少包含栅极结构；在所述栅极两侧形成凹槽并在所述凹槽中外延生长SiGeB层，其特征在于，外延生长SiGe层的同时原位掺杂B，所述外延生长包括两个阶段：第一阶段为增加SiGe层中B的浓度，以使所述SiGe层中B的浓度达到峰值浓度；第二阶段为降低SiGe层中B的浓度，以消除短沟道效应。通过本发明所述方法不仅可以使B掺杂后获得更为平坦的掺杂拖尾（doping tail）轮廓，进而降低结漏电（junction leakage），所述方法可以跳过单独的离子注入过程，从而使沟道区域的应力得以保持；而且通过所述方法可以使沟道处B的掺杂浓度较低，以消除短沟道效应，使制备得到的器件具有更好的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，至少包含栅极结构；在所述栅极两侧形成凹槽并在所述凹槽中外延生长SiGeB层，其特征在于，外延生长SiGe层的同时原位掺杂B，所述外延生长包括两个阶段：第一阶段为增加SiGe层中B的浓度，以使所述SiGe层中B的浓度达到峰值浓度；第二阶段为降低SiGe层中B的浓度，以消除短沟道效应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
