[发明专利]半导体装置以及噪声去除装置

摘要

针对伴随电源电压的变动的噪声，根据与输入的信号对应的输入端子的种类来分别使用不同的手法，从而在装置内提高抗噪声性。从外部电路（12）经由输入端子（20）向噪声去除电路（24）输入振荡信号。因电源噪声而电源电压变动的情况下，在节点（B）产生L电平脉冲的狭脉冲，输出信号反转。OR电路输入该输出信号和被延迟电路延迟而狭脉冲（反转）的时刻偏离的延迟信号，所以输出信号不反转保持H电平。从外部电路（14）经由输入端子（22）向噪声去除电路（26）输入严格限制延迟的高频的振荡信号。通过连接在施密特电路的输入与输出之间的电容元件，节点（A）追随电源电压而变动，所以在节点（B）不产生狭脉冲，不反转而保持H电平。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第1端子，其被输入第1信号；第2端子，其被输入第2信号，该第2信号与所述第1信号相比，关于传递给半导体装置的内部电路时的延迟少；第1噪声去除电路，其具备从所述第1端子输入所述第1信号的第1施密特电路、和在该第1施密特电路的输出信号变动后该输出信号被维持规定时间以上的情况下，使向半导体装置的内部电路输出的输出信号变化的输出信号调整部；第2噪声去除电路，其具备从所述第2端子输入所述第2信号的第2施密特电路、和使输入给该第2施密特电路的所述第2信号追随电源电压的变动而变化的输入信号调整部，并将该第2施密特电路的输出信号输出给半导体装置的内部电路。