[发明专利]一种超大接触面积的阵列化微型气相色谱柱芯片无效
申请号: | 201210398713.9 | 申请日: | 2012-10-19 |
公开(公告)号: | CN103776940A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 崔大付;孙建海;陈兴;张璐璐;蔡浩原;任艳飞;李辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电子学研究所 |
主分类号: | G01N30/60 | 分类号: | G01N30/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100080 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种了超大接触面积的阵列化微型气相色谱柱芯片,该芯片包括硅基底(5),沟道(2)和阵列化立柱(3)加工在硅基底(5)上,而阵列化立柱(3)则分布在沟道2内,当阵列化立柱(3)和沟道(2)加工完毕后,再利用电化学腐蚀的办法,在沟道(2)和立柱(3)的表面生长一层多孔硅(7),在多孔硅7的表面固定固定相。该芯片还包括键合密封硅基底(5)上的沟道(2)的密封层(6)。本发明的芯片的多孔硅的结构呈疏松多孔状,其表面积成千上万倍增加,然后在多孔硅表面再固定固定相,可大幅度增加固定相在色谱柱内的附着面积,其面积比空沟道结构的色谱柱,要提高5-10倍。而且该结构的沟道内气流速度和压强变化比空沟道结构的色谱柱要小得多。因此,本发明分离混合气体的能力将得到极大的提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 超大 接触 面积 阵列 微型 色谱 芯片 | ||
【主权项】:
一种阵列化微型气相色谱柱芯片,包括一个基底(5)和在该基底(5)上形成的一个连通的沟道(2),其特征在于,该芯片还包括:多个立柱(3),其形成在所述沟道内,其高度方向与所述沟道(2)的深度方向一致。
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