[发明专利]生长碘化铅单晶体的方法及系统无效
| 申请号： | 201210397522.0 | 申请日： | 2012-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN102912418A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 贺毅;金应荣;王兰;陈宝军;何知宇;栾道成;盛得雪;张洁 | 申请（专利权）人： | 西华大学 |
| 主分类号： | C30B13/00 | 分类号： | C30B13/00;C30B13/14 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 李世喆 |
| 地址： | 610039 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及材料物理与化学领域，具体涉及一种生长碘化铅单晶体的方法及系统，能够稳定地得到高纯度、符合化学配比的碘化铅单晶体。其中方法包括放置碘化铅籽晶和对碘化铅预铸锭的熔化与结晶，将碘化铅籽晶放置在碘化铅预铸锭上方并接触，碘化铅籽晶和碘化铅预铸锭中的铅与碘的原子摩尔比为1:1.95-1:2.05；在熔化和结晶时，保持碘化铅籽晶为固态，对碘化铅预铸锭进行竖直方向从上至下的依次加热，使其从上至下依次熔化为液态碘化铅，并在此过程中使液态碘化铅结晶；液态碘化铅的温度为410-450℃，令液态碘化铅与碘化铅籽晶之间的结晶界面处或液态碘化铅与已结晶的固态的碘化铅之间的结晶界面处的温度梯度为5-30℃/cm。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 碘化 单晶体 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种生长碘化铅单晶体的方法，其特征在于，包括放置碘化铅籽晶和对碘化铅预铸锭的熔化与结晶，所述放置碘化铅籽晶为：将所述碘化铅籽晶放置在所述碘化铅预铸锭上方，并与所述碘化铅预铸锭接触，其中，所述碘化铅籽晶和所述碘化铅预铸锭中的铅与碘的原子摩尔比为1：1.95‑1:2.05；所述熔化为：保持所述碘化铅籽晶为固态，对所述碘化铅预铸锭进行竖直方向从上至下的依次加热，使所述碘化铅预铸锭从上至下依次熔化为液态碘化铅；所述结晶为：在所述碘化铅预铸锭从上至下依次熔化为所述液态碘化铅时，使所述液态碘化铅从与所述碘化铅籽晶的接触位置处开始从上至下依次结晶；其中，令所述液态碘化铅的温度为410‑450℃，在所述碘化铅预铸锭从上至下依次熔化为所述液态碘化铅的过程中，令所述液态碘化铅与所述碘化铅籽晶之间的结晶界面处或所述液态碘化铅与已结晶的固态的碘化铅之间的结晶界面处的温度梯度为5‑30℃/cm。
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