[发明专利]高灵敏温控薄膜混合集成电路的集成方法有效
申请号: | 201210396258.9 | 申请日: | 2012-10-18 |
公开(公告)号: | CN102931144A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 杨成刚;苏贵东;连云刚 | 申请(专利权)人: | 贵州振华风光半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98 |
代理公司: | 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 | 代理人: | 刘安宁 |
地址: | 550018 贵*** | 国省代码: | 贵州;52 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种高灵敏温控薄膜混合集成电路的集成方法,该方法是:先采用薄膜溅射方式或蒸发方式,在氮化铝(Al3N4)陶瓷基片衬底表面生长薄膜电阻、薄膜导带和键合区;接着用同样方式形成热敏电阻薄膜,再用同样方式在热敏电阻薄膜上形成绝缘介质层及芯片粘贴所需的金属化层;然后,将热敏传感信号处理芯片、温控器件主芯片、其他有源或无源元器件装贴在基片上;最后,采用键合丝进行键合,在特定气氛中将管基和管帽进行密封即得到高灵敏温控薄膜混合集成电路器件。本方法实现了薄膜热敏电阻与温控器件主芯片在最大接触面的无间隙接触,且属原子间接触,可最大程度、最快地将主芯片的热量传导给热敏电阻,以实现高灵敏温度控制。 | ||
搜索关键词: | 灵敏 温控 薄膜 混合 集成电路 集成 方法 | ||
【主权项】:
一种高灵敏温控薄膜混合集成电路的集成方法,其特征在于该方法是采用薄膜热敏电阻、绝缘介质与温控器件主芯片一体化三维混合集成的方式来实现的,具体集成方法是:先采用薄膜溅射方式或蒸发方式,在氮化铝(Al3N4)陶瓷基片衬底表面生长所需的薄膜电阻、导带和键合区;接着采用薄膜溅射方式或蒸发方式形成热敏电阻薄膜,再用同样的方法在热敏电阻薄膜上形成绝缘介质层及芯片粘贴所需的金属化层;然后,将热敏传感信号处理芯片、温控器件主芯片、有源或无源元器件直接装贴在基片上;最后,采用键合丝进行键合,完成整个电器连接,最后在特定的气氛中将管基和管帽进行密封即得到所需高灵敏温控薄膜混合集成电路器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贵州振华风光半导体有限公司,未经贵州振华风光半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210396258.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种FK506-A化合物的制备方法
- 下一篇:热泵循环
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造