[发明专利]高灵敏温控薄膜混合集成电路的集成方法有效

专利信息
申请号: 201210396258.9 申请日: 2012-10-18
公开(公告)号: CN102931144A 公开(公告)日: 2013-02-13
发明(设计)人: 杨成刚;苏贵东;连云刚 申请(专利权)人: 贵州振华风光半导体有限公司
主分类号: H01L21/98 分类号: H01L21/98
代理公司: 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 代理人: 刘安宁
地址: 550018 贵*** 国省代码: 贵州;52
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种高灵敏温控薄膜混合集成电路的集成方法,该方法是:先采用薄膜溅射方式或蒸发方式,在氮化铝(Al3N4)陶瓷基片衬底表面生长薄膜电阻、薄膜导带和键合区;接着用同样方式形成热敏电阻薄膜,再用同样方式在热敏电阻薄膜上形成绝缘介质层及芯片粘贴所需的金属化层;然后,将热敏传感信号处理芯片、温控器件主芯片、其他有源或无源元器件装贴在基片上;最后,采用键合丝进行键合,在特定气氛中将管基和管帽进行密封即得到高灵敏温控薄膜混合集成电路器件。本方法实现了薄膜热敏电阻与温控器件主芯片在最大接触面的无间隙接触,且属原子间接触,可最大程度、最快地将主芯片的热量传导给热敏电阻,以实现高灵敏温度控制。
搜索关键词: 灵敏 温控 薄膜 混合 集成电路 集成 方法
【主权项】:
一种高灵敏温控薄膜混合集成电路的集成方法,其特征在于该方法是采用薄膜热敏电阻、绝缘介质与温控器件主芯片一体化三维混合集成的方式来实现的,具体集成方法是:先采用薄膜溅射方式或蒸发方式,在氮化铝(Al3N4)陶瓷基片衬底表面生长所需的薄膜电阻、导带和键合区;接着采用薄膜溅射方式或蒸发方式形成热敏电阻薄膜,再用同样的方法在热敏电阻薄膜上形成绝缘介质层及芯片粘贴所需的金属化层;然后,将热敏传感信号处理芯片、温控器件主芯片、有源或无源元器件直接装贴在基片上;最后,采用键合丝进行键合,完成整个电器连接,最后在特定的气氛中将管基和管帽进行密封即得到所需高灵敏温控薄膜混合集成电路器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贵州振华风光半导体有限公司,未经贵州振华风光半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210396258.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top