[发明专利]一种超声喷印法制备三碘化铯锡薄膜的方法有效

专利信息
申请号: 201210382798.1 申请日: 2012-10-09
公开(公告)号: CN103706539A 公开(公告)日: 2014-04-09
发明(设计)人: 沈凯;陈琢;任宇航 申请(专利权)人: 浙江尚颉光电科技有限公司
主分类号: B05D1/02 分类号: B05D1/02;B05D1/36;H01L31/032
代理公司: 北京市盛峰律师事务所 11337 代理人: 赵建刚
地址: 311121 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供一种超声喷印法制备三碘化铯锡薄膜的方法,包括以下步骤:S11,配置CsI溶液,所述CsI溶液的浓度为5wt%至50wt%;S12,配置SnCl2溶液,所述SnCl2溶液的浓度为10wt%至80wt%;S13,利用超声喷印系统将所述CsI溶液喷印到基底上;S14,利用超声喷印系统将所述SnCl2溶液喷印到所述基底上;S15,加热所述基底至干燥,在所述基底上形成三碘化铯锡薄膜。本发明超声喷印法制备三碘化铯锡(CsSnI3)薄膜的方法,在玻璃、陶瓷和金属箔等大面积基底上合成薄膜,不需要基于真空手段就能合成CsSnI3薄膜的方法,该合成或沉积方法是基于水基前驱体溶液的超声喷印沉积,可显著降低成本,使这种薄膜作为新的太阳能电池吸收材料将得到广泛的应用。
搜索关键词: 一种 超声 法制 碘化 薄膜 方法
【主权项】:
一种超声喷印法制备三碘化铯锡薄膜的方法,其特征在于,包括:S11,配置CsI溶液,所述CsI溶液的浓度为5wt%至50wt%;S12,配置SnCl2溶液,所述SnCl2溶液的浓度为10wt%至80wt%;S13,利用超声喷印系统将所述CsI溶液喷印到基底上;S14,利用超声喷印系统将所述SnCl2溶液喷印到所述基底上;S15,加热所述基底至干燥,在所述基底上形成三碘化铯锡薄膜。
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