[发明专利]提高MOM电容密度的方法

摘要

一种提高MOM电容密度的方法，包括：步骤S1：在衬底上沉积刻蚀阻挡层、低介电常数介质层、缓冲层、与所述低介电常数介质层具有相同材质的刻蚀调整层、金属硬掩模层、上覆层；步骤S2：金属互连区的刻蚀停止在所述刻蚀调整层上形成第一沟槽图形；步骤S3：MOM电容区的刻蚀停止在所述缓冲层上形成第二沟槽图形；步骤S4：互连通孔的图形定义；步骤S5：沟槽和互连通孔的一体化刻蚀；步骤S6：沉积扩散阻挡层、铜籽晶层，以及铜填充层；步骤S7：获得MOM电容结构和金属互连结构。通过本发明所述提高MOM电容目的的方法，在保证不影响所述金属互连结构沟槽深度和所述互连通孔高度的情况下，可以使所述MOM电容区的低介电常数介质层的厚度降低，从而达到提升电容密度，改善MOM电容性能的目的。

主权项

一种提高MOM电容密度的方法，其特征在于，所述提高MOM电容密度的方法包括：执行步骤S1：在具有下层金属连线的衬底上依次沉积所述刻蚀阻挡层、低介电常数介质层、缓冲层、与所述低介电常数介质层具有相同材质的刻蚀调整层、金属硬掩模层，以及上覆层，形成晶片；执行步骤S2：在所述上覆层表面涂覆所述光阻并光刻、刻蚀，所述金属互连区的刻蚀停止在所述刻蚀调整层上，以形成所述金属互连区的第一沟槽图形；执行步骤S3：在所述上覆层表面涂覆所述光阻并光刻、刻蚀，所述MOM电容区的刻蚀停止在所述缓冲层上，以形成MOM电容区的第二沟槽图形；执行步骤S4：互连通孔的图形定义，所述互连通孔的图形经过光刻、刻蚀，并经过部分刻蚀将所述互连通孔的图形停留在所述低介电常数介质层的预定深度，以减少所述互连通孔结构在去除光阻时受到损伤；执行步骤S5：去除所述光阻，以晶片表面的所述金属硬掩模层为掩模层，对所述晶片进行沟槽和互连通孔的一体化刻蚀，以形成位于所述金属互连区的第一沟槽、位于所述MOM电容区的第二沟槽，以及用于与所述下层金属连线连接的互连通孔，所述第一沟槽的刻蚀深度小于所述第二沟槽的刻蚀深度，所述互连通孔刻蚀至所述低介电常数介质层底部，并与所述衬底的金属互连结构相连；执行步骤S6：在所述第一沟槽、第二沟槽，以及互连通孔中沉积扩散阻挡层、铜籽晶层，以及铜填充层；执行步骤S7：通过化学机械研磨去除所述冗余的铜填充层、扩散阻挡层、金属硬掩模层、刻蚀调整层，以及缓冲层，以同时获得所述MOM电容结构和所述双层嵌入式金属互连结构。