[发明专利]一种具有高阶谐波抑制能力的混频器及其抑制方法有效

专利信息
申请号: 201210378416.8 申请日: 2012-09-29
公开(公告)号: CN102882474A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 狄青叶;朱正贤;杨飞;和新阳;裴秀媛 申请(专利权)人: 西安空间无线电技术研究所
主分类号: H03D7/16 分类号: H03D7/16
代理公司: 中国航天科技专利中心 11009 代理人: 安丽
地址: 710100 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种具有高阶谐波抑制能力的混频器及其抑制方法,属于微波技术领域。包括功分网络、本振谐波抑制网络、场效应管和3dB耦合桥,本振谐波抑制网络和场效应管均为两个;本振信号首先经过功分网络,然后馈入场效应管;射频信号经过3dB耦合桥,然后馈入场效应管;射频信号和本振信号在场效应管进行混频,本振谐波抑制网络对场效应管非线性效应产生的本振谐波信号进行抑制;获得的信号经过3dB耦合桥进行功率合成,最后输出中频信号。本发明能大幅提升LO谐波抑制能力;提升LO谐波抑制能力的同时,不影响混频器混频性能,特别适合LO谐波落入IF带内的情况。
搜索关键词: 一种 具有 谐波 抑制 能力 混频器 及其 方法
【主权项】:
一种具有高阶谐波抑制能力的混频器,其特征在于:包括功分网络、本振谐波抑制网络、场效应管和3dB耦合桥,本振谐波抑制网络和场效应管均为两个;本振信号首先经过功分网络,然后馈入场效应管;射频信号经过3dB耦合桥,然后馈入场效应管;射频信号和本振信号在场效应管进行混频,本振谐波抑制网络对场效应管非线性特性产生的本振谐波信号进行抑制;获得的信号经过3dB耦合桥进行功率合成,最后输出中频信号。
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