[发明专利]图像传感器及其制备方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种图像传感器及其制备方法。本发明中，该图像传感器包括光电二极管和像素读出电路，该光电二极管包括第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区以衬底表面为界面形成PN结，第一掺杂区位于衬底内，第二掺杂区位于衬底表面上方，第一掺杂区在衬底表面上有部分区域未被第二掺杂区覆盖，且第一掺杂区未被第二掺杂区覆盖的区域中至少有部分作为像素读出电路中一个MOS管的有源区，这样，可以有效地降低甚至消除光电二极管的电势偏差，提高图像传感器光生电荷的传输效果，进而提高器件性能。此外，本发明使用图形化减薄、外延和离子注入等传统工艺技术制备该图像传感器，操作简便，易于批量生产。

主权项

一种图像传感器，基于半导体衬底，其中包括光电二极管和像素读出电路，该像素读出电路包括至少一个金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，该光电二极管包括第二半导体类型的第一掺杂区和第一半导体类型的第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区以半导体衬底表面为界面形成PN结，第一掺杂区位于衬底内，第二掺杂区位于衬底表面上方；第一掺杂区在衬底表面上有部分区域未被第二掺杂区覆盖，且第一掺杂区未被第二掺杂区覆盖的区域中至少有部分作为所述像素读出电路中一个金属氧化物半导体场效应晶体管的有源区，输出光电二极管中的光生电荷。