[发明专利]用于功率半导体装置的边缘终端结构无效
| 申请号： | 201210378170.4 | 申请日： | 2012-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN103035673A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 金洙丘;约瑟夫·安德鲁·叶季纳科;何宜修 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张英;王玉桂 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于功率半导体装置的边缘终端结构。该功率半导体装置（或功率装置）包括：在其上具有外延层的基板；形成在该外延层中的基本上平行的有源沟槽阵列，其中该有源沟槽包括具有绝缘栅极导电层的晶体管结构；在有源沟槽附近的超结或屏蔽区域；在有源沟槽周围的外围沟槽；以及在外延层的上表面内的源极接触区域，其中，栅极导电层在超结或屏蔽区域的上方并在周围的外围沟槽的上方延伸。这样的构造允许在包含PN超结结构的功率MOSFET装置中以宽范围的击穿电压使用该边缘终端结构。描述了其他实施方式。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 功率 半导体 装置 边缘 终端 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：半导体基板，在所述半导体基板上具有外延层；基本上平行的有源沟槽阵列，形成在所述外延层中，所述沟槽包括具有绝缘栅极导电层的晶体管结构；超结或屏蔽区域，位于所述有源沟槽附近；外围沟槽，位于所述有源沟槽周围，所述外围沟槽包含介电材料、绝缘体、半绝缘体、导体、或它们的组合；以及源极接触区域，位于所述外延层的上表面内；其中，所述栅极导电层在所述超结或屏蔽区域的上方并在周围的外围沟槽的上方延伸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞兆半导体公司，未经飞兆半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210378170.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
