[发明专利]形成半导体器件的连接突块的方法

摘要

本发明涉及形成用于半导体器件的连接突块的方法，在所述半导体器件中形成重布线图案。所述方法包括：制备半导体衬底，在半导体衬底上通过钝化膜部分地暴露出焊盘；在焊盘和钝化膜上形成种子层；形成包括开口图案的光致抗蚀剂图案，所述开口图案包括暴露出焊盘上的种子层的一部分的第一开口以及暴露出钝化膜上的种子层的一部分并且与第一开口分开的第二开口；施行第一电镀，以便在开口图案中形成填充物层；施行第二电镀，以便在填充物层上形成焊料层；去除光致抗蚀剂图案；以及施行回流工艺，以便形成将各个填充物层彼此电连接的塌陷焊料层以及位于形成在第二开口中的填充物层上的焊料突块。

主权项

一种形成半导体器件的连接突块的方法，所述方法包括：制备半导体衬底，在所述半导体衬底上通过钝化膜部分地暴露出焊盘；在所述焊盘和所述钝化膜上形成种子层；形成包括开口图案的光致抗蚀剂图案，所述开口图案包括：暴露出所述焊盘上的种子层的一部分的第一开口；以及暴露出所述钝化膜上的种子层的一部分并且与所述第一开口分开的第二开口；施行第一电镀，以便在所述开口图案中形成填充物层；施行第二电镀，以便在所述填充物层上形成焊料层；去除所述光致抗蚀剂图案；以及施行回流工艺，以便形成塌陷焊料层和焊料突块，该塌陷焊料层将所述填充物层彼此电连接，并且该焊料突块位于形成在所述第二开口中的填充物层上。