[发明专利]堆叠半导体器件无效

专利信息
申请号: 201210371220.6 申请日: 2012-09-28
公开(公告)号: CN103035630A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 佩里·H·派莱伊;凯文·J·埃斯;迈克尔·B·麦克沙恩 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/528;H01L21/98
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 李佳;穆德骏
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种堆叠半导体器件(200,800),包括第一,第二,第三和第四半导体器件。包括所述有源电路的每个所述第一半导体器件和所述第二半导体器件的第一主表面直接面向彼此,并且包括所述有源电路的每个所述第三半导体器件和所述第四半导体器件的第一主表面直接面向彼此。所述第二半导体器件的第二主表面直接面向所述第三半导体器件的第二主表面。所述堆叠半导体器件包括多个连续导电通孔(116),其中每个连续导电通孔从所述第一器件的所述第二主表面、穿过所述第一器件、第二器件、第三器件和第四器件延伸到所述第四器件的所述第二主表面。每个半导体器件在所述器件的至少一个边缘上的所述第一主表面处可能包括斜面边缘。
搜索关键词: 堆叠 半导体器件
【主权项】:
一种堆叠半导体器件,包括:第一半导体器件,所述第一半导体器件具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面,所述第一半导体器件的所述第一主表面具有有源电路;第二半导体器件,所述第二半导体器件具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面,所述第二半导体器件的所述第一主表面具有有源电路;第三半导体器件,所述第三半导体器件具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面,所述第三半导体器件的所述第一主表面具有有源电路;第四半导体器件,所述第四半导体器件具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面,所述第四半导体器件的所述第一主表面具有有源电路;其中:所述第一半导体器件的所述第一主表面面向所述第二半导体器件的所述第一主表面,使得所述第一半导体器件和所述第二半导体器件的所述第一主表面位于所述第一半导体器件和所述第二半导体器件的所述第二主表面之间;所述第三半导体器件的所述第一主表面面向所述第四半导体器件的所述第一主表面,使得所述第三半导体器件和所述第四半导体器件的所述第一主表面位于所述第三半导体器件和所述第四半导体器件的所述第二主表面之间;以及所述第二半导体器件的所述第二主表面面向所述第三半导体器件的所述第二主表面,使得所述第二半导体器件和所述第三半导体器件的所述第二主表面位于所述第二半导体器件和所述第三半导体器件的所述第一主表面之间;以及至少一个连续导电通孔,其中所述至少一个连续导电通孔的每个连续导电通孔从所述第一半导体器件的所述第二主表面延伸穿过所述第一半导体器件、所述第二半导体器件和所述第三半导体器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司,未经飞思卡尔半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210371220.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top