[发明专利]自由基选择装置和基板处理装置无效
| 申请号： | 201210371201.3 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103035468A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 泽田郁夫 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够可靠地从等离子体中选择性地仅使自由基通过的自由基选择装置和基板处理装置。在基板处理装置(10)的腔室(11)内，配置在载置于载置台(12)上的晶圆W与等离子体产生器(13)之间的自由基过滤器(14)具备：上部屏蔽板(17)；下部屏蔽板(18)，其被配置成使上部屏蔽板(17)介于下部屏蔽板(18)与等离子体产生器(13)之间，上部屏蔽板(17)具有在厚度方向上贯通该上部屏蔽板(17)的多个上部贯通孔(17a)，下部屏蔽板(18)具有在厚度方向上贯通该下部屏蔽板(18)的多个下部贯通孔(18a)，向上部屏蔽板(17)施加负的直流电压，向下部屏蔽板(18)施加正的直流电压。 | ||
| 搜索关键词： | 自由基 选择 装置 处理 | ||
【主权项】：
一种自由基选择装置，从等离子体中选择性地使自由基通过，其特征在于，具备：第一屏蔽板；以及第二屏蔽板，其被配置成使上述第一屏蔽板介于该第二屏蔽板与等离子体源之间，其中，上述第一屏蔽板具有在厚度方向上贯通该第一屏蔽板的多个第一贯通孔，上述第二屏蔽板具有在厚度方向上贯通该第二屏蔽板的多个第二贯通孔，向上述第一屏蔽板施加第一直流电压，向上述第二屏蔽板施加第二直流电压，上述第一直流电压的极性与上述第二直流电压的极性不同。
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