[发明专利]包括匹配电容器对的半导体器件及形成一种电容器的方法以及形成电阻器的方法

摘要

本发明涉及包括匹配电容器对的半导体器件及形成一种电容器的方法以及形成电阻器的方法。公开了FinFET半导体器件的多种实施方式，其中包括在半导体衬底中的鳍片结构；在硅衬底中在第一侧面附近的第一沟槽以及在第二侧面附近的第二沟槽；在第一沟槽以及第二沟槽内的隔离层；在第一侧面附近的第一绝缘体结构以及在第二侧面附近的第二绝缘体结构；以及在第一绝缘体结构附近的第一导体结构以及在第二绝缘体结构附近的第二导体结构。可以形成共享共同源极、漏极、和/或沟道的匹配电容器对。因此，可以制造每个电容器的电容特性，使得他们彼此相似。通过使用FinFET技术制造的电阻器。能够以大于沿着衬底横过所述电阻器的距离的有效长度来制造所述电阻器。

主权项

一种包括匹配电容器对的半导体器件，包括：在半导体衬底中的多个鳍片结构，每个鳍片结构具有第一侧面和第二侧面，所述第一侧面和所述第二侧面相对于相应的鳍片结构彼此相对；在所述多个鳍片结构之间的沟槽中形成的多个隔离层；在所述多个鳍片结构的所述第一侧面上的多个第一绝缘体结构以及在所述多个鳍片结构的所述第二侧面上的多个第二绝缘体结构；以及在所述多个第一绝缘体结构和所述多个第二绝缘体结构之间的多个导体结构，其中，所述多个导体结构设置在所述多个鳍片结构之间，从而形成所述多个导体结构和所述多个鳍片结构的交替阵列。