[发明专利]半导体器件以及使用该半导体器件的SiP器件

摘要

本发明提供了一种半导体器件以及使用该半导体器件的SiP器件。半导体器件包括逻辑电路和有源元件电路。逻辑电路设置有形成于半导体衬底中的半导体元件。有源元件电路设置有使用半导体层形成的晶体管，该半导体层形成于在半导体衬底上方形成的第一绝缘膜上。由逻辑电路控制有源元件电路。

主权项

一种半导体器件，包括：逻辑电路；以及有源元件电路；其中所述逻辑电路包括形成于半导体衬底中的第一有源元件以及设置于位于所述半导体衬底上方的布线层中的每一个中的布线，其中所述有源元件电路包括使用第一半导体层形成的第二有源元件，所述第一半导体层形成于在所述布线层上方形成的第一绝缘膜上方，并且其中由所述逻辑电路控制所述有源元件电路，其中，所述半导体器件进一步包括：第二绝缘膜，所述第二绝缘膜形成于所述半导体衬底上方；多个布线，所述多个布线嵌入在设置于所述第二绝缘膜中的沟槽中；第一源电极，所述第一源电极与所述第一半导体层耦合；以及第一漏电极，所述第一漏电极与所述第一半导体层耦合，其中所述第一绝缘膜设置为覆盖所述第二绝缘膜和所述布线，其中所述布线包括第一栅电极，所述第一栅电极设置于与所述第一半导体层相对的位置处，并且其中所述第一半导体层、所述第一源电极、所述第一漏电极、以及所述第一栅电极用作构成所述有源元件电路的所述第二有源元件，其中，所述半导体器件进一步包括：第二半导体层，所述第二半导体层形成于所述第一绝缘膜上方；第二源电极，所述第二源电极与所述第一半导体层耦合；以及第二漏电极，所述第二漏电极与所述第一半导体层耦合，其中所述布线进一步包括第二栅电极，所述第二栅电极设置于与所述第二半导体层相对的位置处，其中所述第二栅电极和所述第二源电极彼此电耦合，其中所述有源元件电路作为从第一电源电压产生第二电源电压的DC－DC转换器来操作，其中所述第一半导体层、所述第一源电极、所述第一漏电极、以及所述第一栅电极用作构成所述DC－DC转换器的晶体管，并且其中所述第二半导体层、所述第二源电极、所述第二漏电极、以及所述第二栅电极用作构成所述DC－DC转换器的二极管。