[发明专利]准磁单极子模型有效
| 申请号： | 201210368392.8 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102867447A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 崔立晨;崔学晨;崔实;崔宇;张莉 | 申请（专利权）人： | 崔实 |
| 主分类号： | G09B23/18 | 分类号： | G09B23/18;H01F7/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 450009 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种准磁单极子模型，属于物理学应用技术领域。经变磁轴取向压制成型并烧结、充磁后制成空心半球永磁体，由两个空心半球永磁体对接组合形成空心球永磁体，在空心球永磁体的内、外表面设置高导磁材料，所述空心半球永磁体的半球体底的外缘倒圆角，在倒圆角处做变磁轴充磁。本发明提供的准磁单极子模型，消除了磁单极外周的杂散异极磁场，使其外表单极磁场均匀，制作出严格意义的且能实用的磁单极子模型。 | ||
| 搜索关键词： | 磁单极子 模型 | ||
【主权项】：
一种准磁单极子模型，其特征是，经变磁轴取向压制成型并烧结、充磁后制成空心半球永磁体（1），由两个空心半球永磁体（1）对接组合形成空心球永磁体，在该空心球永磁体的内、外表面设置高导磁材料（2a、2b），所述空心半球永磁体（1）的半球体底的外缘倒圆角（3），在倒圆角（3）处做变磁轴充磁取向（G'），并在倒圆角（3）处形成的凹陷填充非导磁材料。
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