[发明专利]一种发光二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201210367130.X | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103700749A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 张楠;郝茂盛 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管及其制作方法。所述发光二极管的制作方法，先在衬底一表面制备发光结构层，所述发光结构层至少包括N型半导体层、量子阱层、P型半导体层；然后在N型半导体层上制备N电极，在P型半导体层上依次制备透明导电层和P电极，接着在所述透明导电层上制备第一反射镜层，在衬底另一表面制备第二反射镜层。 本发明采用的双向反射镜技术，使发光结构层发出的光有效地激发位于第一反射镜层表面的荧光粉，继而通过第一反射镜层对荧光粉受激发后所产生的光高效反射，提高发光结构层发出的光和荧光粉受激发后所产生的光的复合几率，从而提高整个芯片的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，依次包括衬底、及设置在所述衬底一表面的发光结构层，所述发光结构层至少包括N型半导体层、位于N型半导体层上的量子阱层、及位于量子阱层上的P型半导体层，在所述N型半导体层上设有N电极，在P型半导体层上依次设有透明导电层和P电极，其特征在于：所述发光二极管至少还包括：设置在所述透明导电层表面的第一反射镜层，该第一反射镜层对所述发光结构层所发出的光具有高透过率、对荧光粉受激发后所产生的光具有高反射率，其中，所述荧光粉由发光结构层所发出来的光来激发；设置在所述衬底另一表面上的第二反射镜层，该第二反射镜层对所述发光结构层所发出的光具有高反射率。
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