[发明专利]一种纳米复合结构Mg2Si基热电材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201210366280.9 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103700759A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 张忻;刘洪亮;武鹏旭;路清梅;张久兴 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L35/14 | 分类号： | H01L35/14;H01L35/34 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种纳米复合结构Mg2Si基热电材料及其制备方法属于半导体热电材料制备技术领域。按化学计量比取Mg、Si、Sn单质原料高频感应熔炼成铸锭；将熔炼好的铸锭破碎装入下端开口的石英玻璃管内，然后竖直置于感应熔炼线圈中，快淬炉腔体抽真空后再冲入保护气体，感应熔炼使块体达到熔融态将熔体喷到铜棍上甩出，成带材，收集带材；将带材置于氩气保护气氛手套箱中研磨成粉，后放电等离子烧结成块体。本发明简单可行，工艺流程短，可以有效抑制Mg的氧化，工艺参数控制容易。样品中存在非晶/纳米晶的纳米复合结构，晶粒尺寸得到显著细化，晶粒尺寸分布可控，增加了电子和声子的散射，塞贝克系数大大上升，提高了材料的热电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 复合 结构 mg sub si 热电 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米复合结构Mg2Si基热电材料，其特征在于，所述的热电材料的组成为Mg2Si1‑xSnx，其中0≤x≤0.6。
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