[发明专利]一种用于铜互连的混合介质抗铜扩散阻挡层及其制造方法无效
| 申请号： | 201210362921.3 | 申请日： | 2012-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102832199A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 孙清清;房润辰;郑珊;张卫;王鹏飞;周鹏 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路制造互连领域，具体涉及一种用于铜互连的混合介质抗铜扩散阻挡层及其制造方法。本发明使用混合介质（氧化层/金属）来作为抗铜扩散阻挡层，首先，可以有效增强金属对铜的抗扩散能力，并有效防止扩散阻挡层被氧化而失效，延长扩散阻挡层的寿命。其次，可以降低互连电路的有效介电常数值，进而使得互连电路整体的RC延迟下降。再次，由于金属与铜具有良好的粘附性和接触，可以在金属表面直接电镀铜而不需要先淀积一层铜籽晶，工艺简单可行，有望在未来铜互连的抗扩散阻挡层的制造中得到应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 互连 混合 介质 扩散 阻挡 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于铜互连的抗铜扩散阻挡层，包括：在半导体基底上形成的低介电常数介质层；在所述低介电常数介质层中形成的互连通孔；其特征在于，在所述互连通孔的侧壁以及所述低介电常数介质层之上形成的氧化层；覆盖所述氧化层与所述互连通孔的底壁形成的金属层；所述氧化层与所述金属层形成氧化层和金属混合介质抗铜扩散阻挡层。
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