[发明专利]高动态范围图像传感器有效
申请号: | 201210362851.1 | 申请日: | 2012-09-25 |
公开(公告)号: | CN102856340A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 苗田乐;方娜;田犁;汪辉;陈杰 | 申请(专利权)人: | 上海中科高等研究院 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/355;H04N5/361 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201210 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种高动态范围图像传感器,至少包括光学传感区、与该光学传感区并联的第一电容、浮动扩散区、以及与该浮动扩散区并联的第二电容。本发明通过分别增加与所述光学传感区和浮动扩散区并联的电容,等效提高了该光学传感区和浮动扩散区的阱容量,从而在不增加所述光学传感区和浮动扩散区面积的基础上,明显地提高图像传感器的动态范围,同时又保持了图像传感器的高集成度和低的暗电流水平。此外,该图像传感器还包括控制第一电容连接关系的第二转移晶体管和模式选择单元,可根据设定选择适当的工作模式,在提高动态范围的同时,降低了弱光环境下暗电流的影响,在多种工作环境下均可高质量成像。 | ||
搜索关键词: | 动态 范围 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种高动态范围图像传感器,至少包括一衬底,形成于所述衬底上的光学传感区、浮动扩散区、连接于所述光学传感区与浮动扩散区之间的第一转移晶体管,其特征在于,所述图像传感器还包括:第一电容,与所述光学传感区并联;在所述光学传感区曝光时,所述第一电容存储该光学传感区产生的部分光生载流子;第二电容,与所述浮动扩散区并联;在从所述光学传感区向所述浮动扩散区转移电荷时,所述第二电容存储部分转移的电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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