[发明专利]CdS单晶生长方法及装置有效
| 申请号： | 201210359321.1 | 申请日： | 2012-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103668444A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 程红娟;徐永宽;史月增;李晖;张嵩;杨丹丹 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/50 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 张蕾 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CdS单晶生长方法及装置，该方法包括：将CdS单晶籽晶置于抛光片上，然后将该抛光片放置在支撑台上；将CdS粉料和低阻掺杂剂放入坩埚内，所述坩埚放置在位于所述支撑台上的反应管内，所述反应管的外侧设有外管；所述外管设在加热炉内，将所述反应管内抽真空，并向所述反应管内通入载气；将生长区温度升至950-1015度，源区温度升至1000-1055度，进行CdS单晶生长，生长结束后，将炉内温度降至室温，取出生长后的CdS单晶；该装置包括：抛光片、支撑台、坩埚、反应管、外管和加热炉。本发明通过调控生长区和源区的温度，从而控制CdS单晶生长速度，近而使CdS单晶产生较小的应力，获得质量较高的大尺寸CdS单晶。 | ||
| 搜索关键词： | cds 生长 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种CdS单晶生长方法，其特征在于，包括：将CdS单晶籽晶置于抛光片上，然后将该抛光片放置在支撑台上；将CdS粉料和低阻掺杂剂放入坩埚内，所述坩埚放置在位于所述支撑台上的反应管内，所述反应管的外侧设有外管；所述外管设在加热炉内，将所述外管内抽真空，并向所述外管内通入载气；将生长区温度升至950‑1015度，源区温度升至1000‑1055度，进行CdS单晶生长；生长结束后，将炉内温度降至室温，取出生长后的CdS单晶。
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