[发明专利]TFT阵列基板及其制作方法、液晶显示设备有效
| 申请号： | 201210357758.1 | 申请日： | 2012-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103268045A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 周秀峰;李俊谊 | 申请（专利权）人： | 厦门天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市火*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TFT阵列基板及制作方法、液晶显示设备，涉及液晶显示领域，用以在不额外不增加制造成本的前提下，达到既降低公共电极阻值，又不会减小像素的开口率的目的。该TFT阵列基板包括：基板、设置于基板上的公共电极层、设置于公共电极层上的第一绝缘层以及设置于第一绝缘层上呈阵列分布的多个像素电极，多个相邻的像素之间设有穿透所述第一绝缘层的过孔，多个行和/或列的像素之间生长有公共电极线，所述公共电极线通过所述过孔与设置在所述第一绝缘层下的公共电极层并联。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 及其 制作方法 液晶显示 设备 | ||
【主权项】：
一种TFT阵列基板，包括：基板、设置于基板上的公共电极层、设置于公共电极层上的第一绝缘层以及设置于第一绝缘层上呈阵列分布的多个像素电极，其特征在于，多个相邻的像素之间设有穿透所述第一绝缘层的过孔，多个行和/或列的像素之间生长有公共电极线，所述公共电极线通过所述过孔与设置在所述第一绝缘层下的公共电极层并联。
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