[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 201210356985.2 | 申请日： | 2012-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103035582A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 小田高司;盛田浩介;丰田英志 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 雒运朴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够提高生产效率和半导体装置的制造设计的自由度的半导体装置的制造方法。本发明为具备半导体芯片的半导体装置的制造方法，其包括：准备在第1主面形成有导通构件的半导体芯片的工序；准备在透射放射线的支撑体上依次层叠有放射线固化型粘合剂层和第1热固化型树脂层的支撑结构的工序；以所述第1热固化型树脂层和所述半导体芯片的第1主面对置的方式在所述第1热固化型树脂层上配置多个半导体芯片的工序，以覆盖所述多个半导体芯片的方式在所述第1热固化型树脂层上层叠第2热固化型树脂层的工序；以及从所述支撑体侧照射放射线而使所述放射线固化型粘合剂层固化，由此在所述放射线固化型粘合剂层和所述第1热固化型树脂层之间进行剥离的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置具备半导体芯片，该制造方法包括：准备在第1主面形成有导通构件的半导体芯片的工序，准备在透射放射线的支撑体上依次层叠有放射线固化型粘合剂层和第1热固化型树脂层的支撑结构的工序，以所述第1热固化型树脂层和所述半导体芯片的第1主面对置的方式在所述第1热固化型树脂层上配置多个半导体芯片的工序，以覆盖所述多个半导体芯片的方式在所述第1热固化型树脂层上层叠第2热固化型树脂层的工序，以及从所述支撑体侧照射放射线而使所述放射线固化型粘合剂层固化，由此在所述放射线固化型粘合剂层和所述第1热固化型树脂层之间进行剥离的工序。
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