[发明专利]过压保护电路无效

专利信息
申请号: 201210355938.6 申请日: 2012-09-24
公开(公告)号: CN103683251A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 周晓东;桑园;余力 申请(专利权)人: 郑州单点科技软件有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 450016 河南省郑州市经*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种过压保护电路。该电路包括电压输入端(VIN)和电压输出端(VOUT),在电压输入端(VIN)和电压输出端(VOUT)之间串接一第一电阻(R1),其特征在于,还包括与所述第一电阻(R1)并联一调压电路,所述调压电路包括第一NPN双极型三极管(N1)、第二NPN双极型晶体管(N2)、第一PNP双极型晶体管(P1)、第二PNP双极型晶体管(P2)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管(D1)、第二雪崩二极管或第二齐纳二极管(D2)。本发明的有益效果是:电路结构简单,所需器件和节点较少,减小成本和功耗,减少坏点风险。
搜索关键词: 保护 电路
【主权项】:
一种过压保护电路,包括电压输入端(VIN)和电压输出端(VOUT),在电压输入端(VIN)和电压输出端(VOUT)之间串接一第一电阻(R1),其特征在于,还包括与所述第一电阻(R1)并联一调压电路,所述调压电路包括第一NPN双极型三极管(N1)、第二NPN双极型晶体管(N2)、第一PNP双极型晶体管(P1)、第二PNP双极型晶体管(P2)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管(D1)、第二雪崩二极管或第二齐纳二极管(D2);所述第二电阻(R2)串接于第一NPN双极型晶体管(N1)的源极和基极之间;所述第三电阻(R3)串接于第一PNP双极型晶体管(P1)的源极和基极之间;所述电压输入端(VIN)连接至第一NPN双极型晶体管(N1)的基极、第二PNP双极型晶体管(P2)的集电极、第一雪崩二极管或第一齐纳二极管(D1)的正极端、第二PNP双极型晶体管(P2)的基极和第二NPN双极型晶体管(N2)的集电极;所述第一雪崩二极管或第一齐纳二极管(D1)的负极端连接至第一NPN双极型晶体管(N1)的集电极和第二PNP双极型晶体管(P2)的基极;所述电压输出端(VOUT)连接至第一NPN双极型晶体管(N1)的源电极和第一PNP双极型晶体管(P1)的源极;第二雪崩二极管或第二齐纳二极管(D2)的正极端连接至第二PNN双极型晶体管(P2)的基极和第一PNP双极型晶体管(P1)的集电极,负极端连接至第一PNP双极型晶体管(P1)的基极和第二NPN双极型晶体管(N2)的集电极;所述第二NPN双极型晶体管(N2)的源极和第二PNP双极型晶体管(P2)的源极均接地。
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