[发明专利]一种GaN基发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210353406.9 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102856450A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 虞浩辉;周宇杭 | 申请（专利权）人： | 江苏威纳德照明科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/322 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213342 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管包括依次层叠的衬底、n型接触层、有源层和p型接触层；其中衬底为蓝宝石衬底，n型接触层为n型AlGaN层，p型接触层为p型GaN层；有源层为AlGaN多量子阱。本发明还公开了一种GaN基发光二极管的制造方法包括准备并处理蓝宝石衬底，以及在蓝宝石衬底上依次沉积AlN模板层、低温GaN插入层和AlGaN过渡层、n型接触层、有源层、p型电子阻挡层、p型过渡层和p型接触层。采用处理后的蓝宝石晶片作为衬底形成的发光二极管，增大了击穿场强，减少了漏电，增加了导热性，光发射效率更高，可靠性更大。该方法可以明显的减小发光二极管衬底中的晶体缺陷密度，提高发光二极管的性能和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基发光二极管，包括依次层叠的衬底、n型接触层、有源层和p型接触层；其特征在于，衬底为蓝宝石衬底，n型接触层为n型AlGaN层，p型接触层为p型GaN层；有源层为AlGaN多量子阱。
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