[发明专利]一种GaN衬底激光二极管的制造方法有效
| 申请号： | 201210353018.0 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN102856787A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 虞浩辉;周宇杭 | 申请（专利权）人： | 江苏威纳德照明科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213342 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN衬底激光二极管的制造方法，其包括形成GaN衬底以及依次沉积n型包覆层、n型光导层、有源层、p型阻挡层、p型光导层和p型包覆层。其中形成GaN衬底的方法包括将GaN晶片放入高温高压装置中，对GaN晶片加热的同时加压，加热温度为820～880℃，加压压力为4.1~4.6GPa，保持10～15分钟；停止加热加压，使GaN晶片恢复至常温常压；在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaN晶片。该方法可以明显的减小激光二极管衬底中的晶体缺陷密度，提高激光二极管的性能和寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 衬底 激光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN衬底激光二极管，包括n‑GaN衬底，在衬底上依次沉积有n型包覆层、n型光导层和有源层，其特征在于，n型包覆层是n‑AlaInbGa1‑a‑bN，其中0≤a，b，a+b≤1；n型光导层为n‑AlcIndGa1‑c‑dN，其中0≤c，d，c+d≤1；有源层是超晶格结构的n‑AleInfGa1‑e‑fN/n‑AIgInhGa1‑g‑hN多量子阱层，其中0≤e，f，g，h，e+f，g+h≤1。
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