[发明专利]晶圆器件单元混合扫描方法有效
| 申请号： | 201210352945.0 | 申请日： | 2012-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102856227A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 王洲男;龙吟;陈宏璘 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆器件单元混合扫描方法。在一个器件单元集合中，通过不同裸片之间的比对，计算差值，从而确定缺陷位置。在所述器件单元集合中，在每一个裸片中，通过裸片中重复出现的器件单元之间的相互比对，计算差值，从而确定缺陷位置。根据采用D2D模式的扫描步骤中确定的缺陷位置以及采用C2C模式的扫描步骤中确定的缺陷位置，确定所述器件单元集合中的所有缺陷位置。当采用D2D模式的扫描步骤和采用C2C模式的扫描步骤都确定所述器件单元集合的同一区域存在缺陷时，保留采用C2C模式的扫描步骤中确定的所有缺陷位置；并且对采用D2D模式的扫描步骤中确定的缺陷位置进行分析，滤除小于单个器件单元面积的缺陷，而保留其它缺陷位置。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 单元 混合 扫描 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆器件单元混合扫描方法，其特征在于包括：采用D2D模式的扫描步骤:在一个器件单元集合中，通过不同裸片之间的比对，计算差值，从而确定缺陷位置；采用C2C模式的扫描步骤:在所述器件单元集合中，在每一个裸片中，通过裸片中重复出现的器件单元之间的相互比对，计算差值，从而确定缺陷位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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