[发明专利]制造半导体装置的方法和回流预处理装置无效
| 申请号： | 201210352865.5 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103028800A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 清水裕司 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | B23K1/00 | 分类号： | B23K1/00;B23K1/20;B23K3/08 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;穆德骏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及制造半导体装置的方法和回流预处理装置。本发明的方法包括如下步骤：将被焊接对象和用于捕获悬浮固体的过滤器两者都布置在预定位置处，其中在所述对象中布置了包含锡的焊料；以及在将所述被焊接对象和所述用于捕获悬浮固体的过滤器布置在所述预定位置处的同时，利用氢自由基对布置在所述被焊接对象中的所述焊料进行照射，其中在将所述被焊接对象和所述用于捕获悬浮固体的过滤器布置在所述预定位置处的同时，将所述氢自由基照射到通过所述用于捕获悬浮固体的过滤器之后的所述焊料上。本发明的回流预处理装置包含氢自由基发生器和用于捕获悬浮固体的过滤器。本发明能防止锡粘合到被焊接对象的形成有焊料凸块的部分的表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 回流 预处理 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，包括如下步骤：将被焊接对象和用于捕获悬浮固体的过滤器两者都布置在预定位置处，其中在所述对象中布置了包含锡的焊料；以及在将所述被焊接对象和所述用于捕获悬浮固体的过滤器布置在所述预定位置处的同时，利用氢自由基对布置在所述被焊接对象中的所述焊料进行照射，其中在将所述被焊接对象和所述用于捕获悬浮固体的过滤器布置在所述预定位置处的同时，将所述氢自由基照射到通过所述用于捕获悬浮固体的过滤器之后的所述焊料上。
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